國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了，伴隨著半導體領(lǐng)域的大力發(fā)展，目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導體企業(yè)，飛虹半導體就是其中之一。目前飛虹半導體首發(fā)FHA40T65A型號的IGBT已經(jīng)可以應用于逆變器、電機驅(qū)動、電焊機等領(lǐng)域的產(chǎn)品！

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。

IGBT兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。

因此IGBT是非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。飛虹半導體生產(chǎn)制造的IGBT產(chǎn)品都是經(jīng)過一系列可靠性研究才最終反饋到市場進行應用的。

目前飛虹半導體的FHA40T65A型號IGBT產(chǎn)品參數(shù)特點為：

1、擁有反向并行的快恢復二極管，還具備高可靠性，國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品應用領(lǐng)域Trench Field Stop Ⅱ technology（出色的Vcesat飽和壓降，拖尾電流非常短，關(guān)斷損耗低），擁有正溫度系數(shù)。

2、FHA40T65A的封裝形式是TO-3PN，其具有40A, 650V, VCEsat典型值：1.51V，＜1.85V；IC (Tc=100℃)：40A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：40A；IF (Tc=100℃)：20A。

3、FHA40T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝，來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品應用領(lǐng)域并在導通損耗和關(guān)斷損耗（Eoff）之間能做出來良好的權(quán)衡。

4、出色的導通壓降與極短的拖尾電流為客戶在優(yōu)化系統(tǒng)效率時提供有力的幫助，此外FHA40T65A具備良好的短路特性，能為電機驅(qū)動電路在處理突發(fā)事件提供充足的裕量。

目前飛虹半導體的FHA40T65A型號IGBT產(chǎn)品可應用的具體領(lǐng)域為：

1、FHA40T65應用于高頻車載AC220V逆變器：1.5KW機型：使用4只FHA40T65A在逆變器的全橋拓撲結(jié)構(gòu)上。

2、FHA40T65應用于光伏逆變器，也叫太陽能逆變器：微型逆變器：3KW機型使用8只FHA40T65A在全橋拓撲結(jié)構(gòu)上。

單相組串式光伏逆變器：前級升壓（Single Boost）

單相組串式光伏逆變器：后極逆變（Two-level）

單相組串式光伏逆變器：后極逆變（Heric）

單相組串式光伏逆變器：后極逆變（H6）

3、FHA40T65應用于電機驅(qū)動：家電類的三相電機驅(qū)動電路圖與上面的三相全橋拓撲結(jié)構(gòu)相同。

4、FHA40T65應用于電焊機：4個IGBT為一個全橋，根據(jù)功率需求有的方案會進行并聯(lián)加大功率適應，數(shù)量以2的倍數(shù)起。

飛虹半導體的FHA40T65A型號IGBT是國產(chǎn)IGBT的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，其應用領(lǐng)域涉及逆變器、電機驅(qū)動、電焊機等！飛虹為國內(nèi)的電子產(chǎn)品廠家提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以及配套服務。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制IGBT產(chǎn)品。直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們，免費試樣熱線：400-831-6077。